特許
J-GLOBAL ID：200903038670149814
磁気抵抗素子用多層膜およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-080602
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279118
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、従来構造ではできなかった磁性層の多層膜構造を実現できるとともに、従来構造では得られなかった高いMR比を得ることができる磁気抵抗効果素子用多層膜およびその製造方法の提供を目的とする。【構成】 本発明は、非磁性膜24を挟む強磁性金属膜のうちの一方が、単体金属または合金の微細結晶粒の集合体からなる低保磁力磁性膜25であり、他方が、単体金属または合金の微細結晶粒30とそれら微細結晶粒30の粒界に偏析した非磁性析出相31とを具備する高保磁力磁性膜23であり、前記非磁性析出相31が微細結晶粒30...の相互間の磁気的交換結合を弱める相とされてなるものである。
請求項（抜粋）：
非磁性膜を2つの異なる保磁力を有する強磁性金属膜で挟み込んでなる積層ユニット膜が、複数、基材上に積層されてなり、前記非磁性膜を挟む強磁性金属膜のうちの一方が、単体金属または合金の微細結晶粒の集合体からなる低保磁力磁性膜であり、他方が、単体金属または合金の微細結晶粒とそれら微細結晶粒の粒界に偏析した非磁性析出相とを具備する高保磁力磁性膜であり、前記非磁性析出相が、微細結晶粒の相互間の磁気的交換結合を弱める相とされてなることを特徴とする磁気抵抗素子用多層膜。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, H01F 10/28
, H01L 43/08
, H01L 43/10
G11B 5/39
, H01F 10/28
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/10
