特許

J-GLOBAL ID：200903038670638017

半導体光素子およびその製造方法

発明者： 鈴木 尚文
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076791
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277857
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 再現性、均一性およびスループットの向上を図る。【解決手段】 半絶縁性の半導体基板(基板1)と、この半導体基板上に設けられかつ選択成長によって形成された活性層を含むメサ構造3と、このメサ構造の上面およびこのメサ構造の片側の上記半導体基板上に設けられた第1の導電型の半導体層(電流ブロック層4)、この第1の導電型の半導体層上に設けられた第2の導電型の半導体層(電流ブロック層5)、および、この第2の導電型の半導体層上に設けられた第1の導電型の半導体層(電流ブロック層6)からなる電流ブロック構造と、上記メサ構造の片側に対するその反対側に、上記メサ構造と接して設けられた第2の導電型の半導体層(埋め込み層7)とを備える。

請求項（抜粋）：

半絶縁性の半導体基板と、この半導体基板上に設けられかつ選択成長によって形成された活性層を含むメサ構造と、このメサ構造の上面およびこのメサ構造の片側の前記半導体基板上に設けられた第1の導電型の半導体層、この第1の導電型の半導体層上に設けられた第2の導電型の半導体層、および、この第2の導電型の半導体層上に設けられた第1の導電型の半導体層からなる電流ブロック構造と、前記メサ構造の片側に対するその反対側に、前記メサ構造と接して設けられた第2の導電型の半導体層とを備えたことを特徴とする半導体光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/227 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01S 3/18 665 ,  H01S 3/18 677

Fターム (9件)：

5F073AA26 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB03 ,  5F073CB10 ,  5F073DA23 ,  5F073EA29