特許
J-GLOBAL ID：200903038673015070
半導体装置のコンタクトホールエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094054
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291211
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置のコンタクトホールエッチング方法において、導電膜との選択比を維持し、寸法変換差を最小限に抑制しながら、コンタクトホールの底面積を十分に得る。【構成】 所定の径のポジレジスト5を形成し、サイドエッチングが生じる高圧力のプラズマ生成条件下においてコンタクトホール径をマスクパターン径よりも大きくエッチングする第1のエッチング工程〔図1(b)〕と、変換差が生じ難い低圧力でかつ堆積が生じ易いようなガス流量比を増加させた放電条件でエッチングする第2のエッチング工程〔図1(c)〕とを施す。
請求項（抜粋）：
(a)所定の径のマスクパターンを形成する工程と、(b)サイドエッチングが生じる高圧力のプラズマ生成条件下においてコンタクトホール径をマスクパターン径よりも大きくエッチングする第1のエッチング工程と、(c)変換差が生じ難い低圧力でかつ堆積が生じ易いようなガス流量比を増加させた放電条件でエッチングする第2のエッチング工程とを施すことを特徴とする半導体装置のコンタクトホールエッチング方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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