特許
J-GLOBAL ID：200903038675259790
結晶欠陥計測方法および装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016007
公開番号（公開出願番号）：特開2000-214099
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】欠陥の位置又は種類単位での分離表示が容易で、したがって欠陥評価が容易な結晶欠陥計測方法及び装置を提供すること。【解決手段】ウエハ試料からの散乱光を検出することによって、図3(a)に示すように、ウエハ試料の欠陥平面分布が得られる。この分布に対応する欠陥のサイズ対深さのグラフがまた図3(b)に示すように得ることができる。図3(a)では複数の種類(または素性)の欠陥が全て表示されているため、欠陥の直感的な解析が困難である。そこで、操作者は図3(b)を見て、マウスのようなコンピュ-タ入力装置を用いて例えば28の欠陥群をグラフ上で選択し、その選択された領域の欠陥だけの平面分布を図3(a)に代って表示すると、その欠陥の種類を直感的に判断することができるようになる。
請求項（抜粋）：
結晶試料に照射光を照射し、その試料及び照射光の一方を他方に対して走査して前記試料の個々の散乱体からの散乱光を検出することにより前記試料の結晶欠陥を計測する結晶欠陥計測方法において、前記散乱光強度のうち、予め定められた値よりも大きい散乱光の強度とその生成位置を記憶すること、その記憶された散乱光強度を与える散乱体の平面分布と前記照射光の散乱光強度に関連した値を軸とする、前記記憶された散乱光強度にもとづくグラフとのうちの一方を表示して、その一方の表示からその一方の特定の領域を選択すること、その選択された領域またはその領域以外の領域に対応する、前記平面分布およびグラフのうちの他方の領域を特定して表示することのステップを含む結晶欠陥計測方法。
Fターム (17件)：
2G051AA51
, 2G051AB01
, 2G051AB02
, 2G051AB06
, 2G051AB07
, 2G051AC21
, 2G051BA01
, 2G051BA06
, 2G051BA08
, 2G051CB05
, 2G051CD05
, 2G051DA06
, 2G051DA08
, 2G051EA11
, 2G051EA12
, 2G051EA14
, 2G051FA02
