特許

J-GLOBAL ID：200903038678920226

炭化珪素半導体素子の製造方法

発明者： 高橋 邦方 ,  工藤 千秋
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-214325
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049219
出願日： 2007年08月21日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】加熱工程において不純物がドープされた炭化珪素基板の反りを発生させることなく、炭化珪素半導体素子を製造する方法を提供する。【解決手段】炭化珪素基板1の主面上に形成された炭化珪素層2の少なくとも一部に不純物イオンを注入し、不純物注入領域4を形成する工程(A)と、炭化珪素層の表面にキャップ層5を形成する工程(B)と、炭化珪素基板を第一の設定温度まで第一の昇温レートで加熱する工程(C)と、加熱工程(C)の後に、前記第一の昇温レートよりも小さい第二の昇温レートで第二の設定温度まで炭化珪素基板1を加熱する工程(D)と、を包含することにより、炭化珪素基板1が熱処理によって反ることを少なくすることできる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板の主面上に形成された炭化珪素層の少なくとも一部に不純物イオンを注入し、不純物イオン注入領域を形成する工程(A)と、 前記炭化珪素層の表面にキャップ層を形成する工程(B)と、 前記炭化珪素基板を第一の設定温度まで第一の昇温レートで加熱する工程(C)と、 前記加熱工程(C)の後に、前記第一の昇温レートよりも小さい第二の昇温レートで第二の設定温度まで前記炭化珪素基板を加熱する工程(D)と、 を包含することを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L21/265 602A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658Z ,  H01L21/265 Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3760688号明細書