特許
J-GLOBAL ID：200903038679695030
半導体デバイス部品の実装構造およびその実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114864
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307037
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体デバイス装置の高密度な3次元実装を実現し、高速高周波デバイスにおける信号遅延を顕在化させることのない半導体デバイス部品の実装構造およびその実装方法を提供する。【解決手段】 少なくとも200μm以下の厚みまで裏面が薄型化加工された突起電極付き半導体チップ7を、フレキシブル中間基板10にフリップチップ実装し、この中間基板を湾曲させて半導体チップの裏面同士を接着剤15で接着固定した状態で、プリント配線基板16に実装する。
請求項（抜粋）：
少なくとも200μm以下の厚みまで裏面が薄型化加工された突起電極付き半導体チップを、フレキシブル中間基板にフリップチップ実装し、この中間基板を湾曲させて半導体チップの裏面同士を接着固定した状態で、プリント配線基板に実装してなることを特徴とする半導体デバイス部品の実装構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/32 D
, H01L 23/52 C
