薄膜トランジスタ,その製造方法及び該薄膜トランジスタを備える平板ディスプレイ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：亀谷美明 , 金本哲男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-105794
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005329
出願日： 2005年04月01日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】ソース/ドレイン電極間の電気的疎通を円滑にすることが可能な,薄膜トランジスタ,その製造方法及び該薄膜トランジスタを備える平板ディスプレイ装置を提供する。【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは,基板110と,基板110上に形成されたゲート電極120と,ゲート電極120上に形成されるゲート絶縁層130と,ゲート電極120と絶縁されるようにゲート絶縁層130上に形成されるソース/ドレイン電極140a,140bと,ソース/ドレイン電極140a,140bと接するとともに,ゲート電極120と絶縁される有機半導体層150と,を含み,ソース/ドレイン電極140a,140bの少なくとも有機半導体層150と接する部分には酸化部140 ́a,140 ́bが設けられ,酸化部140 ́a,140 ́bを構成する物質は,有機半導体層150のHOMOエネルギー準位より大きい仕事関数を有する物質を含む。【選択図】図2F

請求項（抜粋）：

基板と; 前記基板上に形成されたゲート電極と; 前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と; 前記ゲート電極と絶縁されるように前記ゲート絶縁層上に形成されるソース/ドレイン電極と; 前記ソース/ドレイン電極と接し,かつ,前記ゲート電極と絶縁される有機半導体層と; を含み, 前記ソース/ドレイン電極の少なくとも前記有機半導体層と接する部分には,酸化部が設けられ, 前記酸化部を構成する物質は,前記有機半導体層のHOMOエネルギー準位より大きな仕事関数を有する物質を含むことを特徴とする,薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 , H01L 21/28 , H01L 51/50 , H01L 29/417

FI (7件)：

H01L29/78 616V , G02F1/1368 , H01L21/28 301B , H05B33/14 A , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/50 M

Fターム (58件)：

2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092KA09 , 2H092KA10 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092NA22 , 2H092NA29 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104GG08 , 4M104HH15 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110HK01 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK42 , 5F110NN71 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開第2003-282883号公報
特開第2003-092410号公報
大韓民国特許出願公開第2003-3067号明細書

審査官引用 (1件)

有機半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-208210 出願人：パイオニア株式会社

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