特許
J-GLOBAL ID：200903038686203819
発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-180503
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005361
出願日： 2005年06月21日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】 反射層の反射率の低下を抑制し、発光の取り出し効率の低下が抑制された信頼性の高い窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 窒化物系化合物半導体を含む発光素子であって、発光層5と、支持基板1と、発光層5と支持基板1との間に形成された反射層31と、反射層31に隣接して配置され金属で形成されている保護層32とを含む発光素子100。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光層と、支持基板と、前記発光層と前記支持基板との間に形成された反射層と、前記反射層に隣接して配置され金属で形成されている保護層とを含む発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA83
, 5F041CA85
, 5F041CA86
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA94
