特許

J-GLOBAL ID：200903038686646109

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-279197
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139004
出願日： 1994年11月14日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 高ドーズのイオン注入等による硬化変質層を有するレジストマスクの、高スループットでクリーンかつ低ダメージなアッシング装置およびアッシング方法を提供する。【構成】 UV光に対し透明な誘電体材料による透明べルジャ6を有するヘリコン波プラズマ発生源を有するプラズマ処理装置により、硬化変質層をアッシングし、次に被処理基板1をUV光照射手段7の方向に移動し、オゾン中UV光照射によりレジストマスクの未変質層をアッシングする。【効果】 1台の高密度プラズマ処理装置により、高密度イオンモードのアッシング処理と、イオンを伴わない気相処理が可能であり、高スループットで残渣のないアッシングが可能となる。Al系金属層パターニング後のレジストマスクアッシングと不動態被膜形成処理を連続的に施すこともできる。

請求項（抜粋）：

誘電体材料からなる透明べルジャと、前記透明べルジャを巻回するループ状RFアンテナと、前記ループ状RFアンテナを巻回するソレノイドコイルアッセンブリを具備するヘリコン波プラズマ発生源と、前記透明べルジャを透過して被処理基板にUV光を照射するUV光照射手段と、前記ヘリコン波プラズマ発生源に連接し、前記被処理基板を載置するとともに前記被処理基板を前記UV光照射手段の方向に移動可能な可動基板ステージを内蔵するプラズマ処理室とを具備してなることを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H