特許
J-GLOBAL ID：200903038688291987
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259506
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102600
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 InGaAsP/InP半導体レーザにおいて電子のオーバーフローを抑制し、発光効率・高温動作の改善を図る。【構成】 n-InP半導体基板10上に、n-InP第1のクラッド層11と、InGaAs(P)を含む発光層12と、p-In1-x Alx As(X=0.48〜1.00)歪バリア層13と、p-InP第2のクラッド層14が積層された構造を有する。【効果】 p-In1-x Alx As(X=0.48〜1.00)からなる歪バリア層を設けることによって、発光層と歪バリア層間の伝導帯のヘテロ障壁を大きくでき、発光層12に注入された電子が、第2のクラッド層14に漏れることなく正孔と発光再結合するため、発光効率が高く、高温動作するInGaAs(P)を発光層とする半導体レーザが得られる。
請求項（抜粋）：
n形のInP半導体基板上に形成された埋め込み構造の半導体レーザにおいて、n形のInPからなる第1のクラッド層と、InGaAsPまたはInGaAsを少なくとも含む発光層と、p形のIn1-x Alx As(x=0.48〜1.00)からなる第1の歪バリア層と、p形のInPからなる第2のクラッド層が順次積層された構造を有する半導体レーザ。
引用特許：
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