特許

J-GLOBAL ID：200903038689991451

半導体記憶装置

発明者： 林峰雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-129086
公開番号（公開出願番号）：特開平5-325542
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 ディジット線に交差部を有する半導体記憶装置において、チップ面積を増大させることなく、ディジット線の不平衡をなくす。【構成】 同一センスアンプに接続された対をなすディジット線D1 とD1 ′とを交差させて、一方を一層目配線14、他方を二層目配線15という二層構造にし、ディジット線を交差部分で、一方を二層目配線17、他方を一層目配線16というように上下を入れ換えた構成をとり、その間をそれぞれスルーホールコンタクト13にて接続する。

請求項（抜粋）：

複数のディジット線およびワード線と、前記ディジット線と前記ワード線との交点にそれぞれ接続されたメモリセルと、対をなす2本のディジット線間に接続されたセンスアンプとを備え、前記対をなす2本のディジット線は、それぞれ上下の異なる配線層に設けられた半導体記憶装置において、前記対をなす2本のディジット線の一部分が交差しかつ上下関係が逆になるように構成された交差部を設けたことを特徴とする半導体記憶装置。