特許
J-GLOBAL ID：200903038689994620
プラズマ処理装置およびその装置を用いた磁気ディスク製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033521
公開番号（公開出願番号）：特開平6-248458
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月06日
要約：
【要約】【目的】貫通孔を有する基板の両面を、同時に、安定にプラズマ処理することのできるプラズマ処理装置を提供する。【構成】基板の両側にそれぞれ電極を配置し、電極に高周波電圧を供給し、発生したプラズマの電位の位相を検出し、位相差が予め定めた値より小さくなるように、一方の電極電圧の位相を遅延させる制御を行う。【効果】ディスク両面の全面に渡って、均一な膜厚と膜質の保護膜を有する磁気ディスクが製造できる。
請求項（抜粋）：
真空容器と、前記真空容器中に基板を保持する基板ホルダと、前記基板の両面が接する2つの空間に各々プラズマを生成させるために前記2つの空間にそれぞれ配置された電極と、前記2つの電極に同周波数の高周波電圧を印加する電圧供給手段とを有するプラズマ処理装置において、前記基板の両面が接する2つの空間に生成されたプラズマの電位を各々検出する検出手段と、前記電圧供給手段が前記一方の電極に印加する高周波電圧の位相と前記他方の電極に印加する高周波電圧の位相との差を調節する位相差調節手段と、前記検出手段の検出した2つの空間のプラズマの電位に差がある場合、前記プラズマの電位差が予め定めた値より小さくなるように前記位相差調節手段を制御する制御手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, G11B 5/72
, G11B 5/84
