特許
J-GLOBAL ID：200903038690265870
半導体製造装置のペデスタル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-109670
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092915
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 エッチング設備のチャンバー内に設置されて、工程のためのウェーハが置かれるようになったペデスタルに関する。【解決手段】 本発明の構成は、半導体製造装置のチャンバー内に設置されてウェーハが置かれるもので、中央に冷却ガスの供給通路が形成され、前記冷却ガスの供給通路から半径方向に、複数個の冷却ガスの流れ溝が上面に形成された、半導体製造装置のペデスタルにおいて、内部に冷却空間部を形成し、この冷却空間部に冷却ガスが供給されるようにして、ペデスタル自体を冷却させるようにしたものである。従って、ウェーハが全体にかけて均一に冷却されることによって、エッチング工程が均一及び安定化されて、エッチング比率及び均一度が維持されることによって、収率及び品質が向上される効果がある。
請求項（抜粋）：
半導体製造装置のチャンバー内に設置されてウェーハが置かれるもので、中央に冷却ガスの供給通路が形成され、冷却ガスの供給通路から半径方向に複数個の冷却ガスの流れ溝が上面に形成された半導体製造装置のペデスタルにおいて、内部に冷却空間部を形成し、この冷却空間部に冷却ガスが供給されるようにしてペデスタル自体を冷却させるように構成されることを特徴とする半導体製造装置のペデスタル。
IPC (2件)：
H01L 21/68
, H01L 21/3065
H01L 21/68 N
, H01L 21/302 B
