特許

J-GLOBAL ID：200903038690280216

磁性膜とその製造方法

発明者： 平本 雅祥 ,  松川 望 ,  榊間 博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-249381
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150233
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 高周波特性にすぐれた高BS軟磁性材料とその製造方法を提供する。【解決手段】 磁性層と中間層とを備えた磁性膜であって、前記磁性層は、(M1α1X1β1)100-δ1A1δ1(但し、添え字のα1,β1,δ1は原子量%を示し、またM1はFe、Co、Niから選ばれた少なくとも1種の磁性金属、X1はMg、Ca、Sr、Ba、Si、Ge、Sn、Al、Gaまたは前記M1をのぞく遷移金属から選ばれた少なくとも1種、A1はO、Nの少なくとも1種を表す)なる組成式で表され、0.1≦β1≦12α1+β1=100 0≦δ1≦10の組成範囲を有し、前記中間層は、(M2α2X2β2)100-δ2A2δ2(但し、添え字のα2,β2,δ2は原子量%を示し、M2はFe、Co、Niから選ばれた少なくとも1種の磁性金属、X2はMg、Ca、Sr、Ba、Si、Ge、Sn、Al、Gaまたは前記M1をのぞく遷移金属から選ばれた少なくとも1種、A2はO、Nの少なくとも1種を表す)なる組成式で表される。

請求項（抜粋）：

磁性層と中間層とを備えた磁性膜であって、前記磁性層は、(M<SB>1</SB>α<SB>1</SB>X<SB>1</SB>β<SB>1</SB>)<SB>100-</SB>δ<SB>1</SB>A<SB>1</SB>δ<SB>1</SB>(但し、添え字のα<SB>1</SB>,β<SB>1</SB>,δ<SB>1</SB>は原子量%を示し、またM<SB>1</SB>はFe、Co、Niから選ばれた少なくとも1種の磁性金属、X<SB>1</SB>はMg、Ca、Sr、Ba、Si、Ge、Sn、Al、Gaまたは前記M<SB>1</SB>をのぞく遷移金属から選ばれた少なくとも1種、A<SB>1</SB>はO、Nの少なくとも1種を表す)なる組成式で表され、0.1≦β<SB>1</SB>≦12α<SB>1</SB>+β<SB>1</SB>=1000≦δ<SB>1</SB>≦10の組成範囲を有し、前記中間層は、(M<SB>2</SB>α<SB>2</SB>X<SB>2</SB>β<SB>2</SB>)<SB>100-</SB>δ<SB>2</SB>A<SB>2</SB>δ<SB>2</SB>(但し、添え字のα<SB>2</SB>,β<SB>2</SB>,δ<SB>2</SB>は原子量%を示し、M<SB>2</SB>はFe、Co、Niから選ばれた少なくとも1種の磁性金属、X<SB>2</SB>はMg、Ca、Sr、Ba、Si、Ge、Sn、Al、Gaまたは前記M<SB>1</SB>をのぞく遷移金属から選ばれた少なくとも1種、A<SB>2</SB>はO、Nの少なくとも1種を表す)なる組成式で表され、0.1≦β<SB>2</SB>≦80α<SB>2</SB>+β<SB>2</SB>=100δ<SB>1</SB><δ<SB>2</SB>≦67の組成範囲を有し、前記磁性層と前記中間層とが交互に積層される磁性膜。

IPC (3件)：

H01F 10/12 ,  G11B 5/31 ,  H01F 41/14

FI (3件)：

H01F 10/12 ,  G11B 5/31 C ,  H01F 41/14