特許

J-GLOBAL ID：200903038690689572

二酸化珪素膜の気相成長法

発明者： 森田 勝巳
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242145
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252134
出願日： 1992年09月10日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 この発明は従来のCVD装置を利用して、急峻な段差部分を有する基板上に高被覆性で均一な二酸化珪素膜を堆積させる気相成長法を得ることを目的とする。【構成】 TEOSと、酢酸と、水をそれぞれ独立に気化器1a、1b、1cで気化してチャンバ3内に供給し、該チャンバ3内で加熱して化学反応を促進させることで高流動性の四ヒドロキシ珪素(Si(OH)4 )が試料4である段差部分を含む基板上に均一に堆積する。その後、このSi(OH)4 から2分子のH2 Oが脱水されることで二酸化珪素が形成される。

請求項（抜粋）：

形成させようとする薄膜材料の構成元素を有するガスをチャンバ内に供給し、加熱して該ガスの化学反応を起こさせ、予め設置されている基板上に所望の薄膜を堆積させる気相成長法において、前記チャンバ内に少なくともTEOSと、酢酸と、水をそれぞれ独立に気化して供給し、加熱して前記基板上に二酸化珪素膜を堆積させることを特徴とする二酸化珪素膜の気相成長法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40