特許

J-GLOBAL ID：200903038694255615

半導体装置及びその製造方法並びにその製造装置

発明者： 斉 木 篤 ,  鈴 木 道 夫 ,  小 塩 良 次 ,  佐 々 木 典 令 ,  佐 藤 等 ,  岡 崎 信 次 ,  西 田 高 ,  前 島 央
出願人/特許権者： 日立プラント建設株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079473
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318538
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】化学増幅作用に影響のない濃度までアルカリ性ガス物質を低減した清浄空気を、パターン形成を行う清浄室に長期間に渡って供給することのできる半導体装置の製造方法及びその製造装置並びに半導体装置を提供する。【構成】ウエハ表面に感光性有機膜の前躯体を形成する装置14、前記感光性有機膜に紫外線領域の波長光を照射する装置16、紫外線領域の波長光が照射された前記感光性有機膜を現像すると共に、現像された前記感光性有機膜をベーキングする装置18から成る半導体装置の製造装置を収納するクリーンルーム10の清浄室10Aに、アルカリ性ガス物質を効率的に吸収する酸性硫酸塩等の化学物質を活性炭に添着したアルカリ性ガス物質除去フィルタを通して空気を供給する。

請求項（抜粋）：

ウエハ表面に感光性有機膜の前躯体を形成する工程と、前記感光性有機膜に紫外線領域の波長光を照射する工程と、紫外線領域の波長光が照射された前記感光性有機膜を現像する工程と、現像された前記感光性有機膜をベーキングする工程と、から成る半導体装置の製造方法に於いて、前記各工程を行う空間に、アルカリ性ガス物質を低減させた清浄空気を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/312

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レジスト処理方法及びレジスト処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-001872   出願人：株式会社東芝