特許

J-GLOBAL ID：200903038694322991

裏面照射型固体撮像素子

発明者： 宇家 眞司
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-065000
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227253
出願日： 2007年03月14日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】CCDイメージセンサの長所とCMOSイメージセンサの長所を併せ持つ固体撮像素子を提供する。【解決手段】第1半導体基板20の裏面側から入射してきた光を受光する光電変換素子22であって第1半導体基板20の表面側に二次元アレイ状に形成された複数の光電変換素子22と、第1半導体基板20の前記表面側に形成され光電変換素子22の検出信号を読み出すCCD型信号読出手段21と、前記表面側に形成され光電変換素子22の検出信号を読み出すMOS型信号読出手段51,52,54,56とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1半導体基板の裏面側から入射してきた光を受光する光電変換素子であって該第1半導体基板の表面側に二次元アレイ状に形成された複数の光電変換素子と、該第1半導体基板の前記表面側に形成され前記光電変換素子の検出信号を読み出すCCD型信号読出手段と、前記表面側に形成され前記光電変換素子の検出信号を読み出すMOS型信号読出手段とを備えることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。

IPC (1件)：

H01L 27/146

FI (1件)：

H01L27/14 F

Fターム (18件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118BA18 ,  4M118BA19 ,  4M118CA04 ,  4M118CB13 ,  4M118DA03 ,  4M118DA28 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118HA22

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第2821062号公報
  
• 固体撮像素子と固体撮像装置、固体撮像素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-206377   出願人：ソニー株式会社