特許

J-GLOBAL ID：200903038698309981

強誘電体不揮発性記憶装置

発明者： 内貴 唯八
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-334848
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172168
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】 強誘電体キャパシタの下部電極以外の導電層から成る配線の幅を広くして、この配線の信頼性及び加工性を高める。【構成】 強誘電体キャパシタ12の記憶ノード電極14を形成しているPt/TiN膜44が、この強誘電体キャパシタ12から延在して、記憶ノード電極14と拡散層25とを接続する配線42になっている。このため、例えばAl膜41がメモリセル11内の配線42になっている構造に比べて、Al膜41でビット線16をレイアウトする際の余裕が大きく、このビット線16の幅を広くすることができる。

請求項（抜粋）：

強誘電体から成るキャパシタ絶縁膜を有する強誘電体キャパシタを用いてメモリセルが構成されている強誘電体不揮発性記憶装置において、前記強誘電体キャパシタの下部電極を形成している導電層がこの強誘電体キャパシタから延在して前記メモリセル内の配線になっていることを特徴とする強誘電体不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 441 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-186669
  
• 特開平3-293775
  
• 特開平3-171661
  
• 特開平4-206870
  
• 特開平4-354390