耐熱性樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227813
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049118
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：

【要約】【課題】膜物性の低下の小さい耐熱性樹脂を簡便に提供できる。【解決手段】(a)一般式(1)で表される構造単位を主成分とするポリマーと(b)光酸発生剤および/または溶解調整剤を含有する耐熱性樹脂組成物であって、光酸発生剤および溶解調整剤の200°Cから350°Cまでの熱重量減少率が30%以下であることを特徴とする耐熱性樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置。【化1】(R1は少なくとも2個以上の炭素原子を有する2価から8価の有機基、R2は、少なくとも2個以上の炭素原子を有する2価から6価の有機基、R3は水素、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオンまたは炭素数1から20までの有機基を示す。mは3から100000までの整数、nは0から2までの整数であり、nが2の場合のR3は同じでも異なっていてもよい。p、qは0から4までの整数であり、p+q>0である。)

請求項（抜粋）：

(a)一般式(1)で表される構造単位を主成分とするポリマーと(b)光酸発生剤および/または溶解調整剤を含有する耐熱性樹脂組成物であって、光酸発生剤および溶解調整剤の200°Cから350°Cまでの熱重量減少率が30%以下であることを特徴とする耐熱性樹脂組成物。【化1】(R1は少なくとも2個以上の炭素原子を有する2価から8価の有機基、R2は、少なくとも2個以上の炭素原子を有する2価から6価の有機基、R3は水素、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオンまたは炭素数1から20までの有機基を示す。mは3から100000までの整数、nは0から2までの整数であり、nが2の場合のR3は同じでも異なっていてもよい。p、qは0から4までの整数であり、p+q>0である。)

IPC (7件)：

C08L 79/08 , C08G 73/10 , C08K 5/28 , G03F 7/004 501 , G03F 7/022 501 , G03F 7/037 501 , H01L 21/027

FI (7件)：

C08L 79/08 A , C08G 73/10 , C08K 5/28 , G03F 7/004 501 , G03F 7/022 501 , G03F 7/037 501 , H01L 21/30 502 R

Fターム (60件)：

2H025AA10 , 2H025AA20 , 2H025AB16 , 2H025BE00 , 2H025BJ00 , 2H025CB25 , 2H025CB26 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 4J002CM041 , 4J002EQ036 , 4J002GQ05 , 4J043PA02 , 4J043PA04 , 4J043QB33 , 4J043QB34 , 4J043QB52 , 4J043RA05 , 4J043SA06 , 4J043SA25 , 4J043SA31 , 4J043SA42 , 4J043SA43 , 4J043SA47 , 4J043SA52 , 4J043SA53 , 4J043SA54 , 4J043SA62 , 4J043SA63 , 4J043SA64 , 4J043SA66 , 4J043SA71 , 4J043SA72 , 4J043SA81 , 4J043TA03 , 4J043TA12 , 4J043TA13 , 4J043TA14 , 4J043TA32 , 4J043TA70 , 4J043TA71 , 4J043TA74 , 4J043TB01 , 4J043TB02 , 4J043UA121 , 4J043UA122 , 4J043UA132 , 4J043UA262 , 4J043UA361 , 4J043UA381 , 4J043UB011 , 4J043UB021 , 4J043UB031 , 4J043UB121 , 4J043UB122 , 4J043UB301 , 4J043UB302 , 4J043ZB50

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