特許
J-GLOBAL ID：200903038703834631
強磁性体メモリおよびその情報再生方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334492
公開番号（公開出願番号）：特開2002-140889
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】 1T1R型MRAMにおいてセル面積が小さく、かつ、記憶した情報を安定的に検出できるメモリ構造およびその再生方法を提供する。【解決手段】 ビット線BL1〜3と、強磁性体の磁化の方向を選択することで電気抵抗値を選択可能な可変抵抗器r11〜13,21〜23,31〜33と、可変抵抗器に接続された電界効果型トランジスタT11〜13,21〜23,31〜33と、所定のビット線に接続され読み出し動作時に強磁性体の磁化方向が反転する前後のビット線の信号を検知するセンスアンプSA1〜3とを備えた強磁性体メモリの読み出し動作時、可変抵抗器rの電気抵抗値を取得、保持してソフト層の強磁性体の磁化方向を反転させ、その後再び電気抵抗値を取得し、保持された電気抵抗値と磁化方向が反転した後の電気抵抗値をセンスアンプSAで比較した結果からハード層に記憶された情報を判別する。
請求項（抜粋）：
磁性体からなり、磁化の向きにより情報を記憶するハード層、非磁性層、前記ハード層より保磁力が小さな磁性体からなるソフト層を有する可変抵抗器を備えた強磁性体メモリからの情報再生方法において、先ず、前記ソフト層を初期化すると共に前記可変抵抗器の抵抗値を検出、保持し、次いで、前記ソフト層の磁化を反転させ、そのとき検出された前記可変抵抗器の抵抗値と前記保持しておいた抵抗値とを比較し、抵抗値の増減により前記ハード層に記憶された情報を再生する情報再生方法。
IPC (5件)：
G11C 11/15
, G11C 11/14
, H01F 10/16
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C 11/15
, G11C 11/14 A
, G11C 11/14 E
, H01F 10/16
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5E049CB02
, 5E049DB02
, 5E049DB12
, 5F083FZ10
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083NA08
