特許
J-GLOBAL ID:200903038704873940
化学・機械的研磨(CMP)中における銅のディッシングを防止するための局部領域合金化
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岡部 正夫 (外11名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-112078
公開番号(公開出願番号):特開2002-009076
出願日: 2001年04月11日
公開日(公表日): 2002年01月11日
要約:
【要約】【課題】 金属を合金化することにより銅とともに一連の均一な固溶体を形成する、電気めっきされた銅合金を使用することにより、化学・機械的研磨(CMP)中における銅のディッシングを著しく低減し、場合によっては除去する方法を提供する。【解決手段】 銅とともに一連の均一な固溶体を形成する金属による電気めっきされた銅合金を形成することにより、空乏金属層の表面上にあるかかる合金の堆積層により、合金に対してCMP処理を行っている間に使用されるスラリー研磨の選択性を低めることが可能となる。電気めっき処理において一連の均一な溶体を形成する金属による銅合金は、銅の酸化特性、機械的特性、電気的特性、剛性パラメータ、および硬質パラメータを変化させる。これらの特性における変化により、空乏層全体が研磨されるまで合金層および空乏層を等しい速度で研磨することが可能となる。このようにして、空乏層と銅合金との研磨速度が1:1に近づくため、ウェハのトレンチにおけるCMP処理による銅のディッシングが回避される。
請求項(抜粋):
集積回路を製造する方法であって、表面を有する基板を供給するステップであって、該基板は該表面に画定された凹部分を有する、該ステップと、前記基板に画定された前記凹部分に銅を堆積するステップと、前記銅の表面上に銅合金層を供給するステップと、結果としてもたらされる構造を平坦化するステップと、を含む方法。
IPC (4件):
H01L 21/3205
, H01L 21/304 621
, H01L 21/304 622
, H01L 21/306
FI (5件):
H01L 21/304 621 D
, H01L 21/304 622 X
, H01L 21/88 K
, H01L 21/88 R
, H01L 21/306 M
Fターム (21件):
5F033HH03
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH18
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033LL02
, 5F033MM01
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP06
, 5F033PP27
, 5F033QQ48
, 5F033QQ49
, 5F033WW02
, 5F033WW04
, 5F033XX00
, 5F033XX01
, 5F043DD16
, 5F043GG02
引用特許:
審査官引用 (1件)
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-268160
出願人:三菱電機株式会社
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