特許
J-GLOBAL ID：200903038708892699
半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255076
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095053
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】 パッケージ基板上にCCBバンプを介して実装された半導体チップをキャップによって封止した半導体集積回路装置において、半導体チップの裏面側からの電圧印加を可能とする。【構成】 CCBバンプ6を介して半導体チップ7を実装したパッケージ基板2の主面に封止用半田12aによってキャップ11を接合して半導体チップ7を封止するとともに、キャップ11の下面と半導体チップ7の裏面とを伝熱用半田12bによって接合したチップキャリア1において、封止用半田12aと伝熱用半田12bとをメタライズ層13a,13d,13cを通じて電気的に接続するとともに、封止用半田12aとパッケージ基板2の裏面に形成された電極3bとをパッケージ基板2に形成された内層配線4aを通じて電気的に接続した。
請求項（抜粋）：
CCBバンプを介して半導体チップを実装したパッケージ基板の主面に封止用半田によってキャップを接合して前記半導体チップを封止するとともに、前記キャップの下面と前記半導体チップの裏面とを伝熱用半田によって接合した半導体集積回路装置であって、前記封止用半田と前記伝熱用半田とを電気的に接続するとともに、前記封止用半田と前記パッケージ基板の裏面に形成された電極とをパッケージ基板に形成された内層配線を通じて電気的に接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。
FI (2件)：
H01L 23/12 E
, H01L 23/12 N
