特許
J-GLOBAL ID：200903038709011670
GaInP系積層構造体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286234
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111035
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】高い電子移動度有し、相互コンダクランス特性に優れる、電界効果型トランジスタ等に用いられるGaInP系積層構造体を提供する。【解決手段】GaInAsチャネル層の接合界面からGa0.51In0.49P電子供給層との接合界面に向けてガリウム組成を減少させたGaXIn1-XP組成勾配層を形成する。
請求項（抜粋）：
半絶縁性のGaAs単結晶基板上に、Ga<SB>Z</SB>In<SB>1-Z</SB>As(0<Z≦1)電子走行層、Ga<SB>X</SB>In<SB>1-X</SB>P(0<X≦1)スペーサ層、Ga<SB>Y</SB>In<SB>1-Y</SB>P(0<Y<1)電子供給層を含むGaInP系積層構造体に於いて、電子走行層、スペーサ層、電子供給層がこの順に接し、スペーサ層が電子走行層との接合界面から、電子供給層との接合界面に向けて、ガリウム組成比(X)を減少させていることを特徴とするGaInP系積層構造体。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM10
, 5F102GR01
, 5F102GR04
, 5F102GT02
, 5F102HC01
