多層配線基板

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354415
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186443
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】マトリックス状電極を有する半導体部品との半田接続において半田亀裂の発生を防止できる多層配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】半導体部品2の複数の電極3に対応してそれぞれ形成され接続パッド5,6,7が、電極形成面2aの中央に位置する電極3と接続される接続パッド5から電極形成面2aの外方に位置する電極3と接続される接続パッド7に向かって、電極3と接続パッド5,6,7との間に位置する半田の半田高さが次第に高くなるように段差をもって形成された多層配線基板とする。

請求項（抜粋）：

積層構造を有し、複数の電極が電極形成面にマトリックス状に形成された半導体部品が半田を介して実装される多層配線基板であって、複数の前記電極に対応してそれぞれ形成され接続パッドが、前記電極形成面の中央に位置する前記電極と接続される前記接続パッドから前記電極形成面の外方に位置する前記電極と接続される前記接続パッドに向かって、前記電極と前記接続パッドとの間に位置する半田の半田高さが次第に高くなるように段差をもって形成されていることを特徴とする多層配線基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 311 , H05K 1/18

FI (3件)：

H01L 23/12 F , H01L 21/60 311 Q , H05K 1/18 R

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