特許

J-GLOBAL ID：200903038713571752

化合物半導体のエピタキシャル成長方法

発明者： 山本 直
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-301202
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151329
出願日： 1992年11月11日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 キャリア濃度の高い III-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長を行う。【構成】 V族原料としてりんを含む化合物半導体のエピタキシャル成長方法において、V族原料を有機りんとしたことを特徴とする化合物半導体のエピタキシャル成長方法。

請求項（抜粋）：

V族原料としてりんを含む化合物半導体のエピタキシャル成長方法において、V族原料を有機りんとしたことを特徴とする化合物半導体のエピタキシャル成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭59-106114
  
• 特開昭63-002313
  
• 特開平1-320297
  
• 特開平3-003319
  
• 特開平4-188821