特許

J-GLOBAL ID：200903038714286687

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 野崎 秀樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114666
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326352
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ペレットの特性劣化を防止して歩留の向上を可能とすると共に、製造工程を簡略化し得る半導体発光素子の製造方法を提供する。【構成】 n型GaAs基板1上にMOCVD法によりInGaAlPダブルへテロ接合層及びGaAlAs電流拡散層5を成長させたエピタキシャルウェーハ10の前記n型GaAs基板側及び前記GaAlAs電流拡散層側にそれぞれn型電極11及びp型電極12を形成し、前記GaAlAs電流拡散層5及びp型電極12上に保護膜を形成した後、少なくとも前記n型GaAs基板、前記InGaAlPダブルへテロ接合層及び前記GaAlAs電流拡散層に対して素子毎に分離するダイシング処理を行い、前記ダイシング処理後のダイシング面全面を臭素系のエッチング液により2μm以上エッチングした後、前記保護膜を除去した。

請求項（抜粋）：

n型GaAs基板上にMOCVD法により形成されたInGaAlPダブルへテロ接合層及びGaAlAs電流拡散層と、前記n型GaAs基板側及び前記GaAlAs電流拡散層側にそれぞれ形成されたn型及びp型電極とを有し、素子に分離するためのダイシング処理を経てペレット化された半導体発光素子において、前記ダイシング処理は、少なくともウェーハ状の前記n型GaAs基板、前記InGaAlPダブルへテロ接合層及び前記GaAlAs電流拡散層に対して行われ、このダイシング処理後のダイシング面全面を臭素系のエッチング液により2μm以上エッチングしてペレット化したことを特徴とする半導体発光素子。