特許

J-GLOBAL ID：200903038722714540

スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法

発明者： 三島 昭史 ,  納田 文男 ,  田村 純
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-060581
公開番号（公開出願番号）：特開平5-044026
出願日： 1991年03月25日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、不純物が均一に分布した半導体単結晶のスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明のターゲットは、中心部の計測点における不純物の濃度と外周部近傍の計測点における不純物の濃度との比の範囲が比抵抗値の比として0.98〜1.20であることを特徴とし、本発明のターゲットの製造方法は、ルツボに貯留された半導体融液に半導体単結晶の回転方向と逆向きの方向の回転を与えつつ該半導体融液より前記半導体単結晶を引き上げることを特徴としている。【効果】 本発明のターゲットは、面内の不純物濃度の変動を極めて小さくし、スパッタされた半導体膜の品質及び歩留まりを格段に向上させることができる。また、本発明の製造方法は、半導体融液内の温度分布を小さくし、該半導体融液と半導体単結晶との界面を略平坦面にすることができる。

請求項（抜粋）：

不純物が添加された半導体単結晶のスパッタリング用ターゲットであって、該ターゲットの中心部の計測点における不純物の濃度と、前記ターゲットの外周部近傍の計測点における不純物の濃度との比の範囲が比抵抗値の比として0.98〜1.20であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-112488
  
• 特開平2-160690
  
• 特開昭63-215588
  
• 特開昭61-272371