特許
J-GLOBAL ID:200903038723722511

反強誘電性液晶表示素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-157116
公開番号(公開出願番号):特開平8-328047
出願日: 1995年05月31日
公開日(公表日): 1996年12月13日
要約:
【要約】【目的】 アクティブマトリクスタイプの反強誘電性液晶表示素子に、明確な階調表示を行なわせることである。【構成】 アクティブマトリクス方式の液晶表示素子に、液晶分子の配列状態が互いに異なる第1と第2の強誘電相と反強誘電相を有し、分子長軸回りに回転する液晶分子からなる反強誘電性液晶21を、スメクティックCA*相の液晶分子の描く二重螺旋構造が消失した状態で封止する。反強誘電性液晶21に電圧を印加すると、液晶分子の回転が抑制されて印加電界に垂直な方向に液晶分子が傾く。この液晶分子の傾きは印加電圧に対応するため、反強誘電性液晶21のダイレクタは印加電圧に応じて連続的に変化し、無数の光学的中間状態を生成する。また、ヒステリシスも小さい。従って、この液晶表示素子を駆動することにより、明確な階調表示が可能となる。
請求項(抜粋):
対向する一対の基板の一方に画素電極を、他方の基板に前記画素電極に対向する対向電極をそれぞれ形成し、前記一対の基板間に、スメクティックCA*相の二重螺旋構造が消失した状態で封止されており、印加電圧に応じて、各液晶分子が電界と垂直方向に傾くことにより、ダイレクタが変化する反強誘電性液晶を封入し、階調表示を可能としたことを特徴とする反強誘電性液晶表示素子。
IPC (2件):
G02F 1/141 ,  G02F 1/133 575
FI (2件):
G02F 1/137 510 ,  G02F 1/133 575

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