特許
J-GLOBAL ID：200903038726854559
半導体基板上のフォトレジストを除去する装置および方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251921
公開番号（公開出願番号）：特開平11-174692
出願日： 1998年08月21日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 使用する化学薬品の有効性を持続させ、製造サイクル・タイムを短縮する、半導体基板上のフォトレジストを除去する装置および方法を提供する。【解決手段】 フォトレジスト剥離槽(21)は、半導体基板上のフォトレジストを除去するためのピラニア溶液(18)を保持する。フォトレジスト剥離槽は、壁(25)によって貯蔵部(27)から分離された浴槽(26)を有する。浴槽は、壁の高さまでピラニア溶液で充填されている。貯蔵部は、壁の高さ未満の高さまで硫酸で充填されている。ポンプ(23)が貯蔵部に接続され、浸透膜ガス化装置(28)を介して、ピラニア溶液を浴槽に汲み上げる。オゾン発生器(29)が、オゾンを浸透膜ガス化装置に供給する。ピラニア溶液を浴槽に汲み上げることによって、ピラニア溶液が壁を超えて落流し、貯蔵部に戻る。浸透膜ガス化装置は、ピラニア溶液における分子オゾン濃度を高める。
請求項（抜粋）：
半導体上のフォトレジストを剥離する装置であって:第1ポートおよび第2ポートを有するフォトレジスト剥離槽(21);前記フォトレジスト剥離槽(21)の前記第1ポートに結合された流体入力と、流体出力とを有するポンプ(23);および前記ポンプ(23)の前記流体出力に結合された流体入力(35)と、前記フォトレジスト剥離槽(21)の前記第2ポートに結合された流体出力(36)と、オゾン・ガスを受け取るガス入力(37)と、ガス出力(38)とを有する浸透膜ガス化装置(28);から成ることを特徴とする装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 7/42
, H01L 21/30 572 B
