特許
J-GLOBAL ID：200903038728855781
半導体基体と太陽電池の製造方法及びこれらの方法により得られた半導体基体と太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016506
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218464
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 金属基板上に良質なエピタキシャルSi層を形成した半導体基板とそれを用いた薄膜結晶太陽電池とを得る方法を提供する。【構成】 Siウエハ101上に陽極化成により多孔質Si層102を形成し、金属基板103上に堆積しておいた非単結晶Si層104の表面と前記多孔質Si102の表面とを接触させ、熱処理を行なって固相成長により多孔質Si層を種結晶として非単結晶Si層を単結晶シリコン層106にするとともに金属基板103/単結晶シリコン層界面にシリサイド層を形成する。選択的エッチング法により多孔質Siを除去して前記Siウエハと単結晶シリコン層106を分離し、金属/単結晶Si2層構造の半導体基体を得る。単結晶Si106上にさらにエピタキシャルSi層107を成長させて太陽電池を形成する。
請求項（抜粋）：
金属/半導体2層構造の半導体基体の製造方法において、i)金属基体上に非単結晶シリコン層を堆積する工程と、ii)単結晶シリコン基体の表面を多孔質化する行程と、iii)前記金属基体上の非単結晶シリコン層の表面と前記単結晶シリコン基体上の多孔質層の表面とを接触させる工程と、iv)熱処理により前記多孔質層に面した前記非単結晶シリコン層を固相エピタキシャル成長させて単結晶化すると同時に前記金属基体と前記非単結晶シリコンとの界面にシリサイド層を形成する工程と、v)選択的エッチングにより前記多孔質層を除去して前記単結晶シリコン基体と前記金属基体上の単結晶化シリコン層とを分離する工程と、を含むことを特徴とする半導体基体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 X
