特許
J-GLOBAL ID：200903038732043511
フォトレジストパターンの線幅の調節のためのマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小堀 益
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-092797
公開番号（公開出願番号）：特開平8-292551
出願日： 1996年04月15日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【課題】 フォトレジストパターンの線幅の調節のための写真描画工程及びマスクを提供する。【解決手段】 本発明は、照度を変えるとフォトレジストパターンの線幅が変わる特性を利用し、フォトレジストパターンの線幅が変わるそれぞれの位置により照度を調節してフォトレジストを露光することにより、半導体基板上の位置による凹凸の変化やフォトレジストを露光するのに使用するレンズの不均一性等によってフォトレジストパターンの線幅が所望の大きさと異なる問題点の解決ができ、特にパターンの形成に使用するマスクで、照度を調節しようとする部分の光透過領域に透過率調節膜パターンを添加して使用することにより、容易に、露光する照度を調節しうる。
請求項（抜粋）：
透明な基板と、前記透明な基板上に光透過領域を限定するための光透過パターンと、前記光透過パターンが転写される半導体基板上で第1領域のフォトレジストの厚さより第2領域のフォトレジストの厚さが厚いとき、前記第1領域に転写される第1光透過領域より前記第2領域に転写される第2光透過領域の透過率がさらに高くなるように前記光透過領域の一部に透過率調節膜パターンを含むことを特徴とするマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
