特許

J-GLOBAL ID：200903038742270923

半導体装置の製造方法

発明者： 米田 芳久
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-064369
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261596
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 良質かつ安定な密着層を得ることができ、密着層を形成する際のスループットの向上を図ることができ、装置のフットプリントの低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 Ti成膜用チャンバー3、TiN成膜用チャンバー4およびRTA処理用チャンバー5を搬送室1により接続したマルチチャンバー装置を用い、Ti膜の形成、TiN膜の形成およびSi基板のRTA熱処理を、途中、Si基板を大気にさらすことなく、Si基板を真空搬送して連続的に行う。Ti膜の形成およびTiN膜の形成を同一チャンバーにおいて順次連続して行ってもよい。TiN膜の形成およびSi基板のRTA熱処理は同一チャンバーにおいて順次連続して、あるいは同時に行ってもよい。Ti膜の形成、TiN膜の形成およびSi基板のRTA熱処理を同一チャンバーにおいて行ってもよい。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に密着層を形成する工程と、上記半導体基体を急速熱処理する工程とを有する半導体装置の製造方法において、上記密着層を形成する工程を行った後、上記半導体基体を大気にさらすことなく、上記半導体基体を急速熱処理する工程を連続して行うようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/285 301 R ,  C23C 14/58 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205