特許
J-GLOBAL ID：200903038744640353
多層セラミック基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079952
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283863
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 焼成時の収縮応力歪が少なく、そりや変形のない多層セラミック基板を得る。【構成】 多層セラミック基板1は、セラミック層10〜22と導体層32〜43を交互に積層し、焼成して形成する。キャビティ部2の配線用導体層32〜35、コンデンサ部6のコンデンサ用導体層39〜43及びシールドグランド用導体層37,43は、厚さが0.8〜5μmの薄い導体層である。コイル部4のコイル用導体層38は、厚さが6〜15μmの厚い導体層である。ボンディング用導体層36は、厚さが3〜8μmの導体層である。
請求項（抜粋）：
複数のセラミック層と複数の導体層を交互に積層し、焼成してなる多層セラミック基板において、前記複数の導体層が、厚さが異なる少なくとも2種類の導体層にて構成され、かつ、薄い方の導体層の厚さが0.5〜5μmの範囲内であることを特徴とする多層セラミック基板。
引用特許：
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