特許

J-GLOBAL ID：200903038746185220

酸化物半導体発光素子

発明者： 齊藤 肇
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-264082
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103847
出願日： 2002年09月10日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】発光特性に優れたZnO系酸化物半導体発光素子を提供すること【解決手段】基板上に少なくとも、n型MgxZn1-xOクラッド層、ZnO系半導体活性層、p型MgyZn1-yOクラッド層およびp型ZnOコンタクト層が形成された酸化物半導体発光素子であって、前記n型MgxZn1-xOクラッド層にはドナー不純物のみがドーピングされ、前記p型MgyZn1-yOクラッド層にはアクセプタ不純物のみがドーピングされ、前記n型MgxZn1-xOクラッド層のMg組成比xおよびp型MgyZn1-yOクラッド層のMg組成比yはいずれも0.2〜0.35の範囲にあって、且つ層厚はいずれも0.5〜2μmの範囲にあること。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも、n型MgxZn1-xOクラッド層、ZnO系半導体活性層、p型MgyZn1-yOクラッド層およびp型ZnOコンタクト層が形成され、前記n型MgxZn1-xOクラッド層にはドナー不純物のみがドーピングされ、前記p型MgyZn1-yOクラッド層にはアクセプタ不純物のみがドーピングされ、前記n型MgxZn1-xOクラッド層のMg組成比xおよびp型MgyZn1-yOクラッド層のMg組成比yはいずれも0.2〜0.35の範囲にあって、且つ層厚はいずれも0.5〜2μmの範囲にあることを特徴とする酸化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01S5/327

FI (2件)：

H01L33/00 D ,  H01S5/327

Fターム (15件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA49 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073DA35