特許
J-GLOBAL ID：200903038748942265
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-233393
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063272
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【目的】 チャージポンプのような昇圧回路で形成される昇圧電圧を動作電源とする回路の負荷の大きな変動によって当該動作電源の電圧が不所望に低下しないようにする。【構成】 ワードドライバ(WD0〜WD7)にバーンイン用動作電源を供給するため、相互に位相の異なる周期信号(N1〜N4)に同期して昇圧動作を行う複数個の昇圧回路(30)と、バーンイン用の電源電圧(VDD)とワードドライバに共通の動作電源の供給ライン(WDP)との間に、前記昇圧回路と1対1対応で配置され、対応される昇圧回路の出力をゲートに受けるNチャンネル型の電源供給用MOSトランジスタ(Q63)を設ける。
請求項（抜粋）：
複数個のドライバに動作電源を供給する電源供給ユニットを備えたCMOS型の半導体集積回路であって、前記電源供給ユニットは、発振回路と、前記発振回路の発振出力に基づいて形成された周期信号に同期して昇圧動作を行う昇圧回路と、前記ドライバに共通の動作電源の供給ラインに、前記昇圧回路と対応して配置され、対応される昇圧回路の出力をゲートに受ける電源供給用のNチャンネル型MOSトランジスタとを備えて成るものであることを特徴とする半導体集積回路。
FI (2件)：
G11C 11/34 354 F
, G11C 11/34 354 D
