特許

J-GLOBAL ID：200903038750688406

超伝導ジョセフソン素子の作製方法

発明者： ▼鶴▲ 浩二 ,  道上 修
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-200098
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038165
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 高臨界電流を示し、かつ再現性に優れたジョセフソンデバイスを作製すること。【構成】 誘電体基板4に傾斜を設け、この誘電体基板上に、この基板と結晶格子整合のとれた超伝導薄膜3を形成し、傾斜面の境界線5にジョセフソン素子を作製する。

請求項（抜粋）：

酸化物超伝導体よりも格子定数の小さい誘電体基板の一部に傾斜面を形成し、両者の格子整合をはかるとともに、前記傾斜面と前記誘電体基板の平面との境界部に超伝導結合の弱いジョセフソン接合を形成することを特徴とする超伝導ジョセフソン素子の作製方法。