特許
J-GLOBAL ID：200903038759557991
半導体の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
熊谷 雄太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150668
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343358
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 ドライエッチング装置において、エッチングしたウェハ表面上に残っている反応生成物を気化し、被エッチング膜を大気にさらした時に発生するコロージョンを防止する。【構成】 トランスファチャンバ3内にホットステージ8とガス分析計12を有している。これにより、ウェハ10をトランスファチャンバ3の中でベーキングすることで反応生成物の除去が可能となり、さらにガス分析計12にてトランスファチャンバ3内の雰囲気を調べることにより十分な反応生成物の除去を行うまでウェハ10のベーキングを行うことが可能となる。
請求項（抜粋）：
バッチ方式のドライエッチング装置において、ウェハのベーキングを行うホットステージをトランスファチャンバ内に有し、かつ該トランスファチャンバ内にガス分析計を有することを特徴とする半導体の製造装置。
引用特許：
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