特許

J-GLOBAL ID：200903038766834186

高効率ソーラセルとその製造方法

発明者： ホー,ホン,キュー. ,  レインハート,キット,シー.
出願人/特許権者： サンディア コーポレーション
代理人 (1件)： 廣江 武典
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-522630
公開番号（公開出願番号）：特表2001-524760
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 2001年12月04日
要約：

【要約】【課題】 理論AM0でのエネルギー変換効率が約40%の高効率の3接合式または4接合式のソーラセル10を、開示する。【解決手段】 ソーラセル10は、n-pトンネル 接合部22、24、26で分離した、インジウムガリウムアルセナイドニトライド(InGaAsN)、ガリウムアルセナイド(GaAs)、インジウムガリウムアルミニウムホスファイド(InGaAlP)で形成されるp-n接合部14、16、18を備える。従って、InGaAsNのp-n接合部の利用により、従来の多接合式ソーラセルにみられる超禁制帯幅エネルギー損失を克服できる。また、金属有機化学蒸着法(MOCVD)による高効率の3接合式または4接合式ソーラセル10を製造する方法も、開示する。

請求項（抜粋）：

高効率ソーラセルであって、複数の積層された半導体p-n接合部から成り、前記の各p-n接合部は異なる組成のエピタキシ成長半導体層内に形成され、前記のp-n接合部の各対はエピタキシ成長半導体のトンネル接合部で分離されており、前記のp-n接合部の1つがインジウムガリウムアルセナイドニトライド(InGaAsN)の半導体合金から成る半導体層内に形成されていることを特徴とする、高効率ソーラセル。

Fターム (5件)：

5F051AA08 ,  5F051CB08 ,  5F051CB12 ,  5F051DA03 ,  5F051DA19