特許

J-GLOBAL ID：200903038775731900

MOSトランジスタで構成された双方向スイッチ

発明者： ブラディミール ルメニック ,  ウェイン ブライアン グラバウスキー
出願人/特許権者： パワー インテグレーションズ,インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-245658
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196695
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 小さなサイズで、しかも大きな動作電流を許容できるMOSFETを利用した双方向スイッチを提供することを目的とする。【構成】 双方向スイッチは、基板10内に配置された第1の導電型のウェル領域11を備えている。ウェル11内には、第2の導電型の第1の電極領域13及び第2の電極領域16が形成されている。第1の電極17と第2の電極19間に第2の導電型のドリフト領域14が配置されている。ドリフト領域14は第1の電極17から第1のチャネル領域によって分離されるとともに、第2の電極19から第2のチャネル領域によって分離されている。第1のゲート領域7は第1のチャネル領域上に、第2のゲート領域8は第2のチャネル領域上に形成されている。

請求項（抜粋）：

基板内に配置された第1の導電型のウェル領域と、前記ウェル内に形成された第2の導電型の第1の電極領域と、前記ウェル内に形成された第2の導電型の第2の電極領域と、前記第1及び第2の電極間に配置されるとともに、第1のチャネル領域によって前記電極から分離され、かつ、第2のチャネル領域によって前記第2の電極から分離されてなる第2の導電型のドリフト領域と、前記第1のチャネル領域上に形成された第1のゲート領域と、前記第2のチャネル領域上に形成された第2のゲート領域と、を備えた双方向スイッチ。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H03K 17/10 ,  H03K 17/687

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X ,  H03K 17/687 G