特許

J-GLOBAL ID：200903038787963148

半導体装置とその製造方法及び半導体装置の実装構造とその実装方法

発明者： 椎名 俊典
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-366231
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170839
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 フリップチップ実装方式において、低荷重で実装を行いダメージの発生を防止し、かつ、高温環境下での電気的な接続信頼性を高めることができ、さらに、微細化された外部接続電極を効率良く生産できる半導体装置とその製造方法及び半導体装置の実装構造とその実装方法の提供を目的とする。【解決手段】 半導体装置1は、微細化された外部接続電極12が、半導体チップ11の電極上に積層形成され、弾性変形を維持した状態で、基板配線21と当接して電気的に接続する。また、弾性層13,バンプ14及び保護層15を有している。

請求項（抜粋）：

被搭載物の被接続電極に電気的に接続される外部接続電極を有する半導体装置において、前記外部接続電極が、弾性変形を維持した状態で前記被接続電極に当接することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 501

FI (4件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/12 501 P ,  H01L 21/92 602 G

Fターム (4件)：

5F044LL15 ,  5F044LL17 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR18