特許

J-GLOBAL ID：200903038790431050

圧電薄膜、圧電装置および圧電薄膜の製造方法

発明者： 本多 順一 ,  田村 孝 ,  高橋 和夫 ,  藤澤 憲克 ,  二瓶 ゆかり
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-205977
公開番号（公開出願番号）：特開2003-020226
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 圧電薄膜のアニーリング工程で基板や隣接する電気回路に熱的影響を与えずに(111)方向の配向が90%以上有する圧電薄膜を提供する。【解決手段】 ゾルゲル法もしくはスパッタリングによる成膜によって形成されるジルコン酸チタン酸鉛を主な組成とする圧電薄膜であって、この圧電薄膜15は、圧電薄膜15表面の全面に対してパルス発振するレーザ光Lをスポット的に照射しかつ走査することで急速加熱と急速冷却とによるアニーリングを行って配向を有する結晶化を促進させたもので、(111)方向の配向を90%以上有するものからなる。

請求項（抜粋）：

ジルコン酸チタン酸鉛を主な組成とする圧電薄膜であって、前記圧電薄膜は、膜形成した後の圧電薄膜表面の全面に対してパルス発振するレーザ光をスポット的に照射しかつ走査することで急速加熱と急速冷却とによるアニーリングを行って配向を有する結晶化を促進させたもので、(111)方向の配向を90%以上有するものからなることを特徴とする圧電薄膜。

IPC (4件)：

C01G 25/00 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24

FI (4件)：

C01G 25/00 ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 A

Fターム (7件)：

4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AB05 ,  4G048AC01 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE08