特許

J-GLOBAL ID：200903038791688119

減圧気相成長装置

発明者： 森近 善光
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-331472
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144736
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 減圧気相成長装置において、半導体基板入炉時に、所定の膜の成長前に基板表面に熱酸化膜が成長することを防止し、半導体装置の歩留を安定化する。【構成】 加熱機構7が外管5から外れた状態で半導体基板1をボート2に積載して外管5,フランジ11から構成される真空槽内へ挿入し、真空排気した後に、大気成分を窒素ガスにより置換し、その後加熱機構7を外管5の周囲で槽を加熱する位置へ移動し温度安定を待つ。次に材料ガスを流し目的の膜を成長する。この手順で成膜することにより、大気残留による熱酸化膜成長なしに所定の膜が成長できる。

請求項（抜粋）：

真空槽と、加熱機構とを有し、半導体基板上に所望の薄膜を成長する減圧気相成長装置であって、真空槽は、内部で半導体基板に薄膜成長が行なわれるものであり、加熱機構は、真空槽を加熱するものであり、真空槽に対して相対変位可能に設けられたものであることを特徴とする減圧気相成長装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-191413
  
• 特開昭60-153115
  
• 特開昭63-283124