特許
J-GLOBAL ID：200903038796361070
単結晶の成長方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045853
公開番号（公開出願番号）：特開平9-235191
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 固液界面の局所加熱によらずに、成長結晶の周辺部の凹化を抑制して多結晶化を防止し、結晶欠陥の少ない単結晶の成長方法及びその装置を提供しようとするものである。【解決手段】 液体封止チョクラルスキー法で原料融液から結晶を引き上げる単結晶の成長方法において、成長結晶の直胴部の目標直径より大きな内径を有する円筒体の先端を液体封止剤中に浸漬し、るつぼと成長結晶を逆方向に回転させ、固液界面の凹化を防止しながら引上軸で成長結晶を引き上げる単結晶の成長方法、及び、その装置である。
請求項（抜粋）：
液体封止チョクラルスキー法で原料融液から結晶を引き上げる単結晶の成長方法において、成長結晶の直胴部の目標直径より大きな内径を有する円筒体の先端を液体封止剤中に浸漬し、固液界面の凹化を防止しながら引上軸で成長結晶を引き上げることを特徴とする単結晶の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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