特許

J-GLOBAL ID：200903038796803862

高熱伝導性窒化珪素回路基板および半導体装置

発明者： 角野 裕康 ,  堀口 昭宏 ,  加曽利 光男 ,  上野 文雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 津国 肇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067689
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153567
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 焼結した窒化珪素セラミック板が本来備える高強度特性を利用し、さらに熱伝導率が高く放熱性に優れるとともに耐熱サイクル特性を大幅に改善した高熱伝導性窒化珪素回路基板を提供するとともにこの窒化珪素基板を利用することで熱サイクルに対する信頼性を向上させた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 25°C下における熱伝導率が60W/m・K 以上である窒化珪素セラミック板2に、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、ニオブ(Nb)およびアルミニウム(Al)からなる群より選択される少なくとも一種の元素と酸素とを含む中間層3を介して、金属回路板4が接合されていることを特徴とする高熱伝導性窒化珪素回路基板。

請求項（抜粋）：

25°C下における熱伝導率が60W/m・K 以上である窒化珪素セラミック板に、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、ニオブ(Nb)およびアルミニウム(Al)からなる群より選択される少なくとも一種の元素と酸素とを含む中間層を介して、金属回路板が接合されていることを特徴とする高熱伝導性窒化珪素回路基板。

IPC (3件)：

H01L 23/14 ,  C04B 35/584 ,  C04B 37/02

FI (4件)：

H01L 23/14 M ,  C04B 37/02 Z ,  C04B 35/58 102 Y ,  C04B 35/58 102 T