特許
J-GLOBAL ID:200903038797872140
窒化炭素冷陰極
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外6名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-534081
公開番号(公開出願番号):特表平11-504753
出願日: 1996年04月17日
公開日(公表日): 1999年04月27日
要約:
【要約】冷陰極が、窒化炭素で形成される。該陰極は、窒化ホウ素の層と、該窒化炭素の下に置かれたダイヤモンドの層からなっていてもよい。該陰極は、反応レーザー・アブレーションまたはスパッタリングで製造される。該窒化炭素陰極を利用する電子デバイスも、記載されている。
請求項(抜粋):
窒化炭素(carbon nitride)からなる陰極(cathode)。
IPC (5件):
H01J 1/30
, C01B 21/082
, C01B 31/00
, C30B 29/04
, H01J 9/02
FI (6件):
H01J 1/30 F
, C01B 21/082 Z
, C01B 31/00
, C30B 29/04 W
, H01J 1/30 A
, H01J 9/02 B
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