特許
J-GLOBAL ID：200903038797883878
多値メモリセルを有する半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-105182
公開番号（公開出願番号）：特開平8-297982
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【目的】 読み出し速度の速い多値ROMを提供する。【構成】 メモリセルMの閾値は、VT0、VT1、VT2及びVT3のいずれかに設定されている。アドレスデコーダ1は、アドレス信号の一部Xn〜X1に基づいて1本のワード線Aを選択する。残りのアドレス信号X0は制御回路2に供給され、制御回路2は、これが「0」であると選択されたワード線の電圧をVT1とVT2の間とするよう指示し、これが「1」であると選択されたワード線の電圧をVT1とVT2の間、VT0とVT1の間、VT2とVT3の間と次々変化させるよう指示する。これにより、アドレス信号X0が「0」であると、1種類のワード線電圧で読み出しができる。
請求項（抜粋）：
m(mは2以上の整数)ビットの情報を格納する複数のメモリセルと、アドレス値に応答して前記複数のメモリセルの少なくとも1つを選択する手段とを有する半導体記憶装置であって、前記それぞれのメモリセルに格納されたmビットの情報は、それぞれm種類のアドレス値に対応する情報であることを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
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