特許

J-GLOBAL ID：200903038799087980

温度検知部内蔵型バイポーラ半導体素子およびその製造方法

発明者： 星 保幸 ,  藤平 龍彦 ,  百田 聖自 ,  工藤 基
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-235684
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041510
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】温度検知部を有するバイポーラ半導体素子において、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のVCEサステイニング電圧(VCE(SUS) )のような動作特性を改善し、また、温度検知の精度を向上させる。【解決手段】IGBTの半導体基板に温度検知用ダイオード17を形成し、その順電圧降下の温度依存性を利用して、温度検知する素子において、温度検知用ダイオード17を、p引き抜き領域21と近接して形成し、ラッチアップ破壊を抑制する。また、温度検知用ダイオード17とチャネル領域19との間の距離を大きくし、或いはその間に短寿命領域36を形成して分離作用を高め、IGBTの主電流の影響を少なくする。

請求項（抜粋）：

第一導電型半導体層と、その第一導電型半導体層の一方の側の表面層に選択的に形成された第二導電型ベース領域と、その第二導電型ベース領域の表面層に選択的に形成された第一導電型エミッタ領域と、第二導電型ベース領域の第一導電型半導体層と第一導電型エミッタ領域に挟まれた部分であるチャネル領域の表面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極層と、そのゲート電極層に接触して設けられたゲート電極と、チャネル領域以外の第二導電型ベース領域および第一導電型エミッタ領域の表面上に共通に接触するエミッタ電極と、第一導電型半導体層の表面層の別の部分に形成された第二導電型コレクタ領域と、その第二導電型コレクタ領域の表面に接触して設けられたコレクタ電極とからなる主セル部を有するバイポーラ半導体素子において、その第一導電型半導体層の一方の側の表面層の別の部分に第二導電型ベース領域と一部を重複して形成され、表面上にエミッタ電極が接触している第二導電型引き抜き領域と、第一導電型半導体層の表面層の第二導電型引き抜き領域に隣接した領域に形成された第二導電型アノード領域と、その第二導電型アノード領域の表面層に選択的に形成された第一導電型カソード領域と、その第一導電型カソード領域の表面上に主セル部のエミッタ電極と接続して設けられたカソード電極と、第二導電型アノード領域の表面上に設けられたアノード電極とからなる温度検知部とを有し、第二導電型アノード領域と第二導電型引き抜き領域との間の距離が1〜30μmの範囲内にあることを特徴とする温度検知部内蔵型バイポーラ半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 23/58 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

H01L 29/78 657 F ,  H01L 23/56 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 657 G