特許
J-GLOBAL ID：200903038800231640
気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-207876
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055636
出願日： 2002年07月17日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】ウエハ上に形成すべき半導体薄膜の成長条件に応じて自公転を自由に制御できる自公転型気相成長装置を提供すること。【解決手段】サセプタ31をトルク伝達歯車32及び第1駆動モータM1を用いて公転運動させると共に、サセプタ31上に回転自在に取り付けられた衛生歯車36を太陽歯車39及び第2駆動モータM2を用いて自転運動させるようにした。これにより、公転運動の回転制御と自転運動の回転制御とを独立して行うことができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応器内に保持体を介して設置された半導体ウエハを自公転させることができるように構成された気相成長装置において、
前記保持体を回転させるための第1の回転駆動系統と、
前記半導体ウエハを前記保持体上で回転させるための第2の回転駆動系統とを備え、
前記第1の回転駆動系統と前記第2の回転駆動系統とが別の駆動源を用いて独立して回転制御されるように構成されたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L21/205
, C23C16/44
, H01L21/285
H01L21/205
, C23C16/44 G
, H01L21/285 C
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030GA05
, 4K030GA08
, 4M104BB01
, 4M104DD44
, 5F045BB15
, 5F045DP14
, 5F045DP28
, 5F045EM10
