シリコンナノ構造の形成方法、シリコン量子細線配列、及びその上に基礎をおくデバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-079824
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156050
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】シリコン量子細線配列のようなシリコンナノ構造を制御可能に形成するための処理を提供する。【解決手段】シリコン表面は、超真空中で窒素分子イオンの均一流により、起伏の波窪がSOI材料のシリコン-絶縁体の境界と同じ深さの周期的な波状起伏を形成するためにスパッタされる。イオンエネルギー、前記材料の表面へのイオン入射角、シリコン層の温度、波状起伏の形成深さ、前記波状起伏の高さ、及びシリコンへのイオン貫通範囲は全て、9nm〜120nmの範囲における波状起伏の選択された波長を基準として決定される。突出縁を有する窒化シリコンマスクは、配列が形成されるシリコン表面の領域を画するために用いられる。スパッタの前に、マスク窓内のシリコン表面から不純物が除去される。

請求項（抜粋）：

周期的波状起伏を形成するために超真空中で窒素分子イオンの均一流によりシリコン表面をスパッタし、前記起伏の波面はイオン入射面の方向であるシリコンナノ構造の形成方法であって、スパッタをする前に、所望の周期的波状起伏の波長を9nm〜120nmの範囲から選択し、前記選択された波長に基づいて、イオンエネルギー、前記材料表面へのイオン入射角、前記シリコンの温度、前記周期的波状起伏の形成深さ、周期的波状起伏の高さ及びシリコンへのイオン浸透飛程の全てを決定することを特徴とするシリコンナノ構造の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/66 , H01L 27/12 , H01L 29/06

FI (4件)：

H01L 21/66 P , H01L 27/12 Z , H01L 29/06 , H01L 21/302 N

Fターム (15件)：

4M106BA03 , 4M106BA20 , 4M106CA48 , 4M106CA50 , 4M106CA52 , 4M106CA70 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004CB20 , 5F004DA00 , 5F004DB01 , 5F004EA07 , 5F004EB08 , 5F004FA01 , 5F004FA02

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