特許

J-GLOBAL ID：200903038802969220

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 中島 靖志
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-193030
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016013
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 電気的に活性化されてキャリア濃度が高い状態の不純物拡散層を形成することができ、良好なオーミックコンタクトを形成することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素基板1の全面にスパッタリング蒸着法や化学気相成長法を用いて炭素薄膜2及びタングステンシリサイド膜3を積層し、拡散領域のタングステンシリサイド膜3を除去した後、炭素薄膜2上からアルミニウムイオン4を注入した後、誘導加熱法を用いた1600°Cの高温アニールを行い、炭素薄膜2を酸素プラズマによって除去するとともに、プラズマエッチングによってイオンビームミキシング層を除去する。

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基板上に炭素を含む薄膜を形成する工程と、前記薄膜上から電気的活性を示す不純物を、前記炭化珪素半導体基板に達するまでイオン注入する工程と、前記炭化珪素半導体基板を、前記薄膜が分解または蒸発を開始する温度よりも低い温度で加熱する工程と、前記薄膜を除去する工程と、を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 21/265 H

Fターム (5件)：

4M104AA03 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104DD79 ,  4M104HH15

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-315169   出願人：松下電器産業株式会社